IGBT功率模块是以绝缘栅双极型晶体管（IGBT）构成的功率模块。由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离，具有出色的器件性能。广泛应用于伺服电机、变频器、变频家电等领域。IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。实质是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体化。又因先进的加工技术使它通态饱和电压低，开关频率高（可达20khz），这两点非常显着的特性，**近西门子公司又推出低饱和压降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳，相继东芝、富士、ir,摩托罗拉亦已在开发研制新品种。
图2是本实用新型的非绝缘双塔型二极管模块的结构示意图。其中1—底板，2—上过渡层，3—二极管芯片，4一下过渡层，5—连接桥，6—主电极，61—过孔，7—绝缘体，8—软弹性胶，9一外壳，91一定位凹槽，具体实施方式见图1所示的非绝缘双塔型二极管模块，包括底板l、二极管芯片3、主电极6以及外壳9，底板1采用镀镍铜板或其它导电板，而二极管芯片3的下端面通过下过渡层4固定连接在底板1上，二极管芯片3的上端面通过上过渡层2与连接桥板5的一侧固定连接，上过渡层2和下过渡层4均是能与二极管芯片3、底板1以及连接桥板5连接的钼片、钨片或可伐片等，通过上、下过渡层使二极管芯片3可靠地与底板1和连接桥板5连接，该连接可采用焊接或粘接等固定方式，特别是钼片的热膨胀系数接近于二极管芯片，减少热应力。本实用新型的连接桥板5是具有两个以上折弯的条板，如图2所示，连接桥板5具有三折，且连接桥板5为两端平板中部凸起的梯形；或连接桥板5为两端平板且中部凸起弓形；连接桥板5也可以是多折，弯折后的连接桥板5能吸收和释放机械应力和热应力，连接桥板5的另一侧通过绝缘体7固定在底板1上，该绝缘体7是两面涂有或覆有金属层的陶瓷片，可采用烧结或键合工艺制造。
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