
被所述多晶硅栅6侧面覆盖的所述阱区2的表面用于形成沟道。由一导电类型重掺杂的发射区7形成在所述多晶硅栅6两侧的所述阱区2的表面。所述多晶硅栅6通过顶部对应的接触孔连接到由正面金属层12组成的金属栅极,所述接触孔穿过层间膜10。所述发射区通过顶部的对应的接触孔连接到由正面金属层12组成的金属源极;令所述发射区顶部对应的接触孔为源极接触孔11,所述源极接触孔11还和穿过所述发射区和所述阱区2接触。本发明一实施例中,由图1所示可知,在各所述单元结构中,所述源极接触孔11和各所述屏蔽接触孔连接成一个整体结构。所述一屏蔽多晶硅4a和所述第二屏蔽多晶硅4b也分布通过对应的接触孔连接到所述金属源极。在所述集电区9的底部表面形成有由背面金属层13组成的金属集电极。通过形成于所述栅极结构两侧的具有沟槽101式结构的所述第二屏蔽电极结构降低igbt器件的沟槽101的步进,从而降低igbt器件的输入电容、输出电容和逆导电容,提高器件的开关速度;通过将所述一屏蔽多晶硅4a和所述第二屏蔽多晶硅4b和所述金属源极短接提高器件的短路电流能力;通过所述电荷存储层14减少器件的饱和压降。图1中,一个所述单元结构中包括5个所述沟槽101。
IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见。IGBT模块连接图IGBT模块的安装:为了使接触热阻变小,推荐在散热器与IGBT模块的安装面之间涂敷散热绝缘混合剂。涂敷散热绝缘混合剂时,在散热器或IGBT模块的金属基板面上涂敷。如图1所示。随着IGBT模块与散热器通过螺钉夹紧,散热绝缘混合剂就散开,使IGBT模块与散热器均一接触。上图:两点安装型模块下图:一点安装型模块图1散热绝缘混合剂的涂敷方法涂敷同等厚度的导热膏(特别是涂敷厚度较厚的情况下)可使无铜底板的模块比有铜底板散热的模块的发热更严重,引至模块的结温超出模块的安全工作的结温上限(Tj《125℃或125℃)。因为散热器表面不平整所引起的导热膏的厚度增加,会增大接触热阻,从而减慢热量的扩散速度。IGBT模块安装时,螺钉的夹紧方法如图2所示。另外,螺钉应以推荐的夹紧力矩范围予以夹紧。
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