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星期 四

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除了传统的应用领域,IGBT在新兴领域的应用也在不断拓展。在5G通信领域,IGBT用于基站电源和射频功放等设备,为5G网络的稳定运行提供支持;在特高压输电领域,IGBT作为关键器件,实现了电力的远距离、大容量传输。在充电桩领域,I

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MOS的性能特点呈现鲜明的场景依赖性,其优缺点在不同应用场景中被放大或弥补。重心优点包括:一是电压驱动特性,输入阻抗极高(10^12Ω以上),栅极几乎不消耗电流,驱动电路简单、成本低,相比电流驱动的BJT优势明显;二是开关速度快,

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IGBT的工作原理基于场效应和双极导电两种机制。当在栅极G上施加正向电压时,栅极下方的硅会形成N型导电通道,就像打开了一条电流的高速公路,允许电流从集电极c顺畅地流向发射极E,此时IGBT处于导通状态。当栅极G电压降低至某一阈值以

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IPM(智能功率模块)的保护电路通常不支持直接的可编程功能。IPM是一种集成了控制电路与功率半导体器件的模块化组件,它内部集成了IGBT(绝缘栅双极型晶体管)或其他类型的功率开关,以及保护电路如过流、过热等保护功能。这些保护电路是

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杭州瑞阳微电子代理品牌-吉林华微技术演进与研发动态产品迭代新一代TrenchFSIGBT:降低导通损耗20%,提升开关频率,适配高频应用(如快充与服务器电源)10;逆导型IGBT(RC-IGBT):集成FRD功能,减少模块体积,提

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