广东好的Mitsubishi三菱IGBT模块销售厂 江苏芯钻时代电子科技供应

    为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种igbt驱动电路，包括限压电路、控制电路和限流电路。，所述限压电路、所述控制电路和所述限流电路相并联。，所述限压电路包括：一齐纳二极管；第二齐纳二极管，所述第二齐纳二极管与所述一齐纳二极管串联。，所述控制电路包括限压电路控制输入lp、电阻r2、下拉电阻r3和控制管n3，所述限压电路控制输入lp与所述电阻r2串联，所述电阻r2与所述控制管n3相串联，所述下拉电阻r3并联在所述电阻r2与所述控制管n3之间。，所述限流电路包括电阻r1和正向二极管n22，所述电阻r1与所述正向二极管n22相串联。与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明将分立器件实现的限压电路集成在芯片中，节省了面积，降低了成本，将限压电路与igbt的驱动电路结合在一个功能块里进一步节省了面积和成本，同时借助igbt的驱动电路中的电阻限制了限压支路的电流，降低了功耗，保护了驱动芯片的安全，lp接收到mcu的信号置高时，限压电路开始工作，a点电压被限压在设定所需要的电压u1，如希望igbt驱动输出限制在12v，此时a电压的设定u1＝12v+vbe，b点电压为u2＝12v+2vbe，终c点电压为12v，此时限压部分的支路电流被限制在(vcc-u2)/r1以下。

    所述第二屏蔽多晶硅和对应的所述沟槽的底部表面和侧面之间通过第二屏蔽介质层隔离。被所述多晶硅栅侧面覆盖的所述阱区的表面用于形成沟道。由一导电类型重掺杂的发射区形成在所述多晶硅栅两侧的所述阱区的表面。所述多晶硅栅通过顶部对应的接触孔连接到由正面金属层组成的金属栅极，所述接触孔穿过层间膜。所述发射区通过顶部的对应的接触孔连接到由正面金属层组成的金属源极；令所述发射区顶部对应的接触孔为源极接触孔，所述源极接触孔还和穿过所述发射区和所述阱区接触。所述一屏蔽多晶硅和所述第二屏蔽多晶硅也分布通过对应的接触孔连接到所述金属源极。在所述集电区的底部表面形成有由背面金属层组成的金属集电极。通过形成于所述栅极结构两侧的具有沟槽式结构的所述第二屏蔽电极结构降低igbt器件的沟槽的步进，从而降低igbt器件的输入电容(cies)、输出电容(coes)和逆导电容(cres)，提高器件的开关速度；通过将所述一屏蔽多晶硅和所述第二屏蔽多晶硅和所述金属源极短接提高器件的短路电流能力；通过所述电荷存储层减少器件的饱和压降。进一步的改进是，所述半导体衬底为硅衬底；在所述硅衬底表面形成有硅外延层，所述漂移区直接由一导电类型轻掺杂的所述硅外延层组成。

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