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2025-12

星期 三

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散热条件:为了确保IPM模块在过热保护后能够自动复原并正常工作,需要提供良好的散热条件。这包括确保散热风扇、散热片等散热组件的正常工作,以及保持模块周围环境的通风良好。故障排查:如果IPM模块频繁触发过热保护,可能需要进行故障排查

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2025-12

星期 三

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IGBT的可靠性受电路设计、工作环境与器件特性共同影响,常见失效风险需针对性防护。首先是栅极氧化层击穿:因栅极与发射极间氧化层极薄(只数十纳米),若Vge超过额定值(如静电放电、驱动电压异常),易导致不可逆击穿。防护措施包括:栅极

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星期 三

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随着功率电子技术向“高频、高效、高可靠性”发展,IGBT技术正朝着材料创新、结构优化与集成化三大方向突破。材料方面,传统硅基IGBT的性能已接近物理极限,宽禁带半导体材料(如碳化硅SiC、氮化镓GaN)成为重要发展方向:SiCIG

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星期 二

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IPM的发展正朝着“高集成度、高效率、智能化”演进:一是集成更多功能,如将电流传感器、MCU接口集成到IPM中,实现“即插即用”;二是采用宽禁带器件,如SiCIPM(碳化硅IPM),相比传统硅基IPM,开关损耗降低50%,耐高温能

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星期 二

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IPM的故障诊断与排查是保障系统稳定运行的重要环节,需结合模块特性与应用场景,建立科学的诊断流程。IPM常见故障包括过流故障、过温故障、欠压故障与短路故障,不同故障的表现与排查方法不同。过流故障通常表现为IPM输出电流骤增、故障指

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